Name: Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA810DJ-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3

Artikelnummer:

SIA810DJ-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIA810DJ-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie	LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53mOhm @ 3.7A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.5 nC @ 8 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.5A (Tc)
Grundproduktnummer	SIA810
SIA810DJ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SIA810DJ-T1-GE3 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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